IRLZ44ZLPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRLZ44ZLPBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: TO262 TO262AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRLZ44ZLPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLZ44ZLPBF даташит

 ..1. Size:381K  international rectifier
 irlz44zlpbf irlz44zpbf irlz44zspbf.pdf pdf_icon

IRLZ44ZLPBF

PD - 95539A IRLZ44ZPbF IRLZ44ZSPbF IRLZ44ZLPbF Features Logic Level HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 13.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G Lead-Free ID = 51A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achi

 ..2. Size:381K  international rectifier
 irlz44zpbf irlz44zspbf irlz44zlpbf.pdf pdf_icon

IRLZ44ZLPBF

PD - 95539A IRLZ44ZPbF IRLZ44ZSPbF IRLZ44ZLPbF Features Logic Level HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 13.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G Lead-Free ID = 51A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achi

 7.1. Size:215K  international rectifier
 auirlz44z.pdf pdf_icon

IRLZ44ZLPBF

PD - 97682 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLZ44Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D V(BR)DSS 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) typ. 11m G Repetitive Avalanche Allowed up to max. 13.5m Tjmax S Lead-Free, RoHS Compliant ID 51A Automotive Qualified * Description D Specifically

 7.2. Size:257K  inchange semiconductor
 irlz44zs.pdf pdf_icon

IRLZ44ZLPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRLZ44ZS FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFL4105PBF, IRFL4310PBF, IRFL4315PBF, IRFL9014PBF, IRFL9110PBF, IRLZ44PBF, IRLZ44S, IRLZ44SPBF, 50N06, IRLZ44ZPBF, IRLZ44ZSPBF, IRLZ44NLPBF, IRLZ44NPBF, IRLZ44NSPBF, IRLZ34L, IRLZ34NLPBF, IRLZ34NPBF