IRLZ34NSPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRLZ34NSPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRLZ34NSPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLZ34NSPBF даташит

 ..1. Size:293K  international rectifier
 irlz34nspbf irlz34nlpbf.pdf pdf_icon

IRLZ34NSPBF

PD - 95583 IRLZ34NSPbF IRLZ34NLPbF l Logic-Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Surface Mount (IRLZ34NS) VDSS = 55V l Low-profile through-hole (IRLZ34NL) l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.035 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 30A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utiliz

 6.1. Size:180K  international rectifier
 irlz34ns irlz34nl.pdf pdf_icon

IRLZ34NSPBF

PD - 91308A IRLZ34NS/L HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 55V Surface Mount (IRLZ34NS) Low-profile through-hole (IRLZ34NL) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.035 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 30A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques

 7.1. Size:51K  international rectifier
 irlz34n 1.pdf pdf_icon

IRLZ34NSPBF

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRLZ34N Logic level TrenchMOSTM transistor GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 55 V technology. The device features very ID Drain current (DC) 30 A

 7.2. Size:230K  international rectifier
 irlz34npbf.pdf pdf_icon

IRLZ34NSPBF

PD - 94830 IRLZ34NPbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.035 l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free ID = 30A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRLZ44ZPBF, IRLZ44ZSPBF, IRLZ44NLPBF, IRLZ44NPBF, IRLZ44NSPBF, IRLZ34L, IRLZ34NLPBF, IRLZ34NPBF, AO3400, IRLZ34PBF, IRLZ34S, IRLZ34SPBF, IRLZ24L, IRLZ24LPBF, IRLZ24NLPBF, IRLZ24NPBF, IRLZ24NSPBF