IRLZ24NPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLZ24NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRLZ24NPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLZ24NPBF даташит

 ..1. Size:2577K  international rectifier
 irlz24npbf.pdf pdf_icon

IRLZ24NPBF

PD - 94998 IRLZ24NPbF Lead-Free www.irf.com 1 2/11/04 IRLZ24NPbF 2 www.irf.com IRLZ24NPbF www.irf.com 3 IRLZ24NPbF 4 www.irf.com IRLZ24NPbF www.irf.com 5 IRLZ24NPbF 6 www.irf.com IRLZ24NPbF www.irf.com 7 IRLZ24NPbF TO-220AB Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) 10.54 (.415) - B - 3.78 (.149) 10.29 (.405) 2.87 (.113) 4.69 (.185) 3.54 (.13

 ..2. Size:1130K  cn vbsemi
 irlz24npbf.pdf pdf_icon

IRLZ24NPBF

IRLZ24NPBF www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Max) Definition Surface Mount 0.024 at VGS = 10 V 50 60 66 nC Available in Tape and Reel 0.028 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Di

 7.1. Size:109K  international rectifier
 irlz24n.pdf pdf_icon

IRLZ24NPBF

PD - 9.1357A IRLZ24N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.06 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 18A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible

 7.2. Size:197K  international rectifier
 irlz24ns irlz24nl.pdf pdf_icon

IRLZ24NPBF

PD - 91358E IRLZ24NS/L HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 55V Surface Mount (IRLZ24NS) Low-profile through-hole (IRLZ24NL) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.06 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 18A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRLZ34NPBF, IRLZ34NSPBF, IRLZ34PBF, IRLZ34S, IRLZ34SPBF, IRLZ24L, IRLZ24LPBF, IRLZ24NLPBF, P55NF06, IRLZ24NSPBF, IRLZ24PBF, IRLZ24S, IRLZ24SPBF, IRLZ14L, IRLZ14PBF, IRLZ14S, IRLZ14SPBF