IRLZ14PBF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRLZ14PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRLZ14PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRLZ14PBF

IRLZ14PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:253K international rectifier
irlz14pbf.pdf

PD - 95457IRLZ14PbF Lead-Free6/23/04Document Number: 91325 www.vishay.com1IRLZ14PbFDocument Number: 91325 www.vishay.com2IRLZ14PbFDocument Number: 91325 www.vishay.com3IRLZ14PbFDocument Number: 91325 www.vishay.com4IRLZ14PbFDocument Number: 91325 www.vishay.com5IRLZ14PbFDocument Number: 91325 www.vishay.com6IRLZ14PbF+Circuit Layout Consider

..2. Size:1086K vishay
irlz14pbf sihlz14.pdf

IRLZ14, SiHLZ14Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Logic-Level Gate DriveRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20RoHS*Qg (Max.) (nC) 8.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VCOMPLIANTQgs (nC) 3.5 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 6.0 Fast SwitchingConfiguration Single Ease of ParallelingD

8.1. Size:291K international rectifier
irlz14s irlz14l.pdf

PD - 9.903AIRLZ14S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRLZ14S) Low-profile through-hole (IRLZ14L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.20G Fast SwitchingID = 10ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

8.2. Size:170K international rectifier
irlz14.pdf

8.3. Size:209K samsung
irlz14a.pdf

IRLZ14AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 0.155 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 10 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220 Extended Safe Operating AreaA (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute

8.4. Size:310K vishay
irlz14l irlz14s.pdf

IRLZ14S, IRLZ14L, SiHLZ14S, SiHLZ14LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 5 V 0.20 Surface Mount (IRLZ14S, SiHLZ14S)Qg (Max.) (nC) 8.4 Low-Profile Through-Hole (IRLZ14L, SiHLZ14L)Qgs (nC) 3.5 175 C Operating Temperature Fast Sw

8.5. Size:337K vishay
irlz14spbf sihlz14l sihlz14s.pdf