IRLZ14SPBF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRLZ14SPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRLZ14SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.4 nC
   Время нарастания (tr): 110 ns
   Выходная емкость (Cd): 170 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRLZ14SPBF

IRLZ14SPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:337K vishay
irlz14spbf sihlz14l sihlz14s.pdf

IRLZ14S, IRLZ14L, SiHLZ14S, SiHLZ14LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 5 V 0.20 Surface Mount (IRLZ14S, SiHLZ14S)Qg (Max.) (nC) 8.4 Low-Profile Through-Hole (IRLZ14L, SiHLZ14L)Qgs (nC) 3.5 175 C Operating Temperature Fast Sw

7.1. Size:291K international rectifier
irlz14s irlz14l.pdf

PD - 9.903AIRLZ14S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRLZ14S) Low-profile through-hole (IRLZ14L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.20G Fast SwitchingID = 10ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

7.2. Size:310K vishay
irlz14l irlz14s.pdf