Справочник MOSFET. IRLI540G

 

IRLI540G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLI540G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRLI540G

 

 

IRLI540G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  international rectifier
 irli540g.pdf

IRLI540G IRLI540G

Document Number: 90399 www.vishay.com1391Document Number: 90399 www.vishay.com1392Document Number: 90399 www.vishay.com1393Document Number: 90399 www.vishay.com1394Document Number: 90399 www.vishay.com1395Document Number: 90399 www.vishay.com1396Legal Disclaimer NoticeVishayNoticeThe products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as

 ..2. Size:1502K  vishay
 irli540g irli540gpbf sihli540g.pdf

IRLI540G IRLI540G

IRLI540G, SiHLI540GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5 V 0.077f = 60 Hz)Qg (Max.) (nC) 64 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 9.4 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 27 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Fast SwitchingConfigur

 7.1. Size:344K  1
 irli540a irlw540a.pdf

IRLI540G IRLI540G

 7.2. Size:258K  international rectifier
 irli540npbf.pdf

IRLI540G IRLI540G

PD -95454IRLI540NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDl Isolated Package VDSS = 100Vl High Voltage Isolation = 2.5KVRMS l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.044l Fully Avalanche Rated Gl Lead-FreeID = 23ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing technique

 7.3. Size:122K  international rectifier
 irli540n.pdf

IRLI540G IRLI540G

PD - 9.1497AIRLI540NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) = 0.044 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmG Fully Avalanche RatedID = 23ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to ac

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top