Справочник MOSFET. IRHQ597110

 

IRHQ597110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHQ597110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.96 Ohm
   Тип корпуса: LCC28
 

 Аналог (замена) для IRHQ597110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHQ597110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  international rectifier
 irhq597110.pdf pdf_icon

IRHQ597110

PD - 94210IRHQ597110100V, Quad P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4#4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ597110 100K Rads (Si) 0.96 -2.8A IRHQ593110 300K Rads (Si) 0.98 -2.8A LCC-28International Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFETFeatures:Technology provides high p

 9.1. Size:128K  international rectifier
 irhq57110.pdf pdf_icon

IRHQ597110

PD - 94211 IRHQ57110100V, Quad N-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4#4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHQ57110 100K Rads (Si) 0.27 4.6AIRHQ53110 300K Rads (Si) 0.27 4.6AIRHQ54110 600K Rads (Si) 0.27 4.6AIRHQ58110 1000K Rads (Si) 0.29 4.6A LCC-28International Rectif

 9.2. Size:198K  international rectifier
 irhq567110.pdf pdf_icon

IRHQ597110

PD - 94057BIRHQ567110100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETTECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) 4#4 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.27 4.6A N IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.29 4.6A N IRHQ567110 100K Rads (Si) 0.96 -2.8A P IRHQ563110 300K Rads (Si) 0.98 -

 9.3. Size:131K  international rectifier
 irhq57214se.pdf pdf_icon

IRHQ597110

PD - 93881BRADIATION HARDENED IRHQ57214SEPOWER MOSFET250V, QUAD N-CHANNELSURFACE MOUNT (LCC-28)TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ57214SE 100K Rads (Si) 1.5 1.9ALCC-28International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli- Features:cations. These devices have been characterized

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFU7546PBF , IRFU7740PBF , IRFU7746PBF , IRHE7110 , IRHE9110 , IRHQ567110 , IRHQ57110 , IRHQ57214SE , IRFB4227 , IRHQ6110 , IRHQ7110 , IRHQ9110 , IRLU3705ZPBF , IRLU3714 , IRLU3714PBF , IRLU3714ZPBF , IRLU3715 .

History: HRD13N10K | NCE8580

 

 
Back to Top

 


 
.