IRHQ9110 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRHQ9110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: LCC28
Аналог (замена) для IRHQ9110
IRHQ9110 Datasheet (PDF)
irhq9110.pdf

PD - 93794AIRHQ9110100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHQ9110 100K Rads (Si) 1.1 -2.3AIRHQ93110 300K Rads (Si) 1.1 -2.3ALCC-28International Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFET
Другие MOSFET... IRHE7110 , IRHE9110 , IRHQ567110 , IRHQ57110 , IRHQ57214SE , IRHQ597110 , IRHQ6110 , IRHQ7110 , IRFP250N , IRLU3705ZPBF , IRLU3714 , IRLU3714PBF , IRLU3714ZPBF , IRLU3715 , IRLU3715PBF , IRLU3715ZPBF , IRLU3717PBF .
History: CS12N80F | MEE3716T | KNP6165B | SRT10N130H | KNP6165A | SVF6N70F | R6007KNJ
History: CS12N80F | MEE3716T | KNP6165B | SRT10N130H | KNP6165A | SVF6N70F | R6007KNJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a