Справочник MOSFET. IRHQ9110

 

IRHQ9110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHQ9110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: LCC28
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHQ9110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  international rectifier
 irhq9110.pdf pdf_icon

IRHQ9110

PD - 93794AIRHQ9110100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) IDIRHQ9110 100K Rads (Si) 1.1 -2.3AIRHQ93110 300K Rads (Si) 1.1 -2.3ALCC-28International Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFET

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMS0309AS | NTMD6N03R2

 

 
Back to Top

 


 
.