IRHQ9110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHQ9110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: LCC28

Аналог (замена) для IRHQ9110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHQ9110 даташит

 ..1. Size:132K  international rectifier
 irhq9110.pdf pdf_icon

IRHQ9110

PD - 93794A IRHQ9110 100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ9110 100K Rads (Si) 1.1 -2.3A IRHQ93110 300K Rads (Si) 1.1 -2.3A LCC-28 International Rectifier s RAD-HardTM HEXFET MOSFET technology provides high performance power MOSFET

Другие IGBT... IRHE7110, IRHE9110, IRHQ567110, IRHQ57110, IRHQ57214SE, IRHQ597110, IRHQ6110, IRHQ7110, 2N7000, IRLU3705ZPBF, IRLU3714, IRLU3714PBF, IRLU3714ZPBF, IRLU3715, IRLU3715PBF, IRLU3715ZPBF, IRLU3717PBF