IRHQ9110. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRHQ9110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: LCC28
Аналог (замена) для IRHQ9110
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRHQ9110 даташит
irhq9110.pdf
PD - 93794A IRHQ9110 100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (LCC-28) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHQ9110 100K Rads (Si) 1.1 -2.3A IRHQ93110 300K Rads (Si) 1.1 -2.3A LCC-28 International Rectifier s RAD-HardTM HEXFET MOSFET technology provides high performance power MOSFET
Другие MOSFET... IRHE7110 , IRHE9110 , IRHQ567110 , IRHQ57110 , IRHQ57214SE , IRHQ597110 , IRHQ6110 , IRHQ7110 , 2N7000 , IRLU3705ZPBF , IRLU3714 , IRLU3714PBF , IRLU3714ZPBF , IRLU3715 , IRLU3715PBF , IRLU3715ZPBF , IRLU3717PBF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a

