IRFM044. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFM044

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для IRFM044

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFM044 даташит

 ..1. Size:189K  international rectifier
 irfm044.pdf pdf_icon

IRFM044

PD - 90708B IRFM044 POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFM044 0.04 35A* HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- sistance combined with high transconductance. HEXFET

 9.1. Size:190K  international rectifier
 irfm054.pdf pdf_icon

IRFM044

PD - 90709B IRFM054 POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFM054 0.027 35A* HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- sistance combined with high transconductance. HEXFET

 9.2. Size:271K  international rectifier
 irfm064.pdf pdf_icon

IRFM044

PD-90875C IRFM064 POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFM064 0.017 35A* HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. TO-254AA The efficient geometry design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance.

 9.3. Size:939K  samsung
 irfm014a.pdf pdf_icon

IRFM044

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.14 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V 2 Lower RDS(ON) 0.097 (Typ.) 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFL110, IRFL210, IRFL214, IRFL4105, IRFL4310, IRFL9014, IRFL9110, IRFM014A, IRF4905, IRFM054, IRFM110A, IRFM120A, IRFM140, IRFM150, IRFM210A, IRFM214A, IRFM220A