IRLR4343. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLR4343

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRLR4343

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR4343 даташит

 ..1. Size:249K  international rectifier
 irlr4343 irlu4343.pdf pdf_icon

IRLR4343

PD - 95851 DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR4343 IRLU4343 IRLU4343-701 Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS 55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = 10V m 42 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m 57 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for Bett

 ..2. Size:302K  international rectifier
 irlr4343pbf irlu4343pbf.pdf pdf_icon

IRLR4343

PD - 95394A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR4343PbF IRLU4343PbF IRLU4343-701PbF Features l Advanced Process Technology l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Key Parameters Amplifier Applications VDS 55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = 10V m 42 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = 4.5V m 57 Efficiency l Low Qrr for Better

Другие IGBT... IRLR3714PBF, IRLR3714ZPBF, IRLR3715, IRLR3715PBF, IRLR3715ZPBF, IRLR3717PBF, IRLR3802PBF, IRLR3915PBF, SKD502T, IRLR4343PBF, IRLU3802PBF, IRLU3915PBF, IRLU4343, IRLU4343PBF, IRLR7807ZCPBF, IRLR7807ZPBF, IRLR7811WCPBF