IRLR8113PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLR8113PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRLR8113PBF Datasheet (PDF)
irlu8113pbf irlr8113pbf.pdf

PD - 95779AIRLR8113PbFIRLU8113PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Power30V 6.0m 22nCl High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSD-Pak I-Pakl Ultra-Low Gate ImpedanceIR
irlr8113.pdf

PD - 94621IRLR8113IRLU8113HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor Power30V 6.0m 22nCl High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial UseBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate ImpedanceD-Pak I-Pakl Fully Characterized
irlr8103 irlr8503.pdf

PD - 93838PD - 93839IRLR8103/IRLR8503IRLR8103/IRLR8503Provisional Data Sheet N-Channel Application-Specific MOSFETsHEXFET Chipset for DC-DC Converters Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction LossesD Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high currentapplicationsDescriptionGThese new devices employ advanced HEXFET powerMO
irlr8103vpbf.pdf

PD - 95093AIRLR8103VPbF N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching LossesD Minimizes Parallel MOSFETs for high currentapplications 100% RG Tested Lead-FreeGDescriptionThis new device employs advanced HEXFET PowerMOSFET technology to achieve an unprecedented balanceS D-Pakof
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RU20N65P
History: RU20N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet