Справочник MOSFET. IRLR2705PBF

 

IRLR2705PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLR2705PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRLR2705PBF

 

 

IRLR2705PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  international rectifier
 irlu2705pbf irlr2705pbf.pdf

IRLR2705PBF IRLR2705PBF

PD - 95062AIRLR2705PbFIRLU2705PbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2705)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2705)l Advanced Process Technologyl Fast Switching RDS(on) = 0.040Gl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 28ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedp

 ..2. Size:260K  infineon
 irlr2705pbf irlu2705pbf.pdf

IRLR2705PBF IRLR2705PBF

PD - 95062AIRLR2705PbFIRLU2705PbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2705)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2705)l Advanced Process Technologyl Fast Switching RDS(on) = 0.040Gl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 28ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedp

 6.1. Size:162K  international rectifier
 irlr2705.pdf

IRLR2705PBF IRLR2705PBF

PD- 9.1317BIRLR/U2705PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Surface Mount (IRLR2705) Straight Lead (IRLU2705)RDS(on) = 0.040G Advanced Process Technology Fast SwitchingID = 28A S Fully Avalanche RatedDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to

 6.2. Size:769K  cn vbsemi
 irlr2705trpbf.pdf

IRLR2705PBF IRLR2705PBF

IRLR2705TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

 6.3. Size:241K  inchange semiconductor
 irlr2705.pdf

IRLR2705PBF IRLR2705PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR2705, IIRLR2705FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)40mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top