IRLR2908PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLR2908PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO252
IRLR2908PBF Datasheet (PDF)
irlr2908pbf irlu2908pbf.pdf

PD - 95552BIRLR2908PbFIRLU2908PbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 80V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 28m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free ID = 30ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniquesto achieve
auirlr2908.pdf

PD - 97734AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR2908FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar TechnologyD V(BR)DSSl Logic-Level Gate Drive 80Vl Low On-ResistanceRDS(on) typ.22.5ml 175C Operating Temperaturemax 28ml Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID (Silicon Limited)39Al Repetitive Avalanche AllowedSID (Package Limited)30Aup to Tjmaxl Lead-Free,
irlr2908.pdf

PD - 94501IRLR2908AUTOMOTIVE MOSFETIRLU2908HEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 80Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 28ml Fast Switching Gl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 30ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSF
irlr2908tr.pdf

IRLR2908TRwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V37COMPLIANTDTO-252GG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unl
Другие MOSFET... IRLU3114ZPBF , IRLU3303PBF , IRLU3410PBF , IRLU3636PBF , IRLR2703PBF , IRLR2705PBF , IRLR2905PBF , IRLR2905ZPBF , IRFZ44N , IRLR3103PBF , IRLR3105PBF , IRLR3110ZPBF , IRLR3114ZPBF , IRLR3303PBF , IRLR3410PBF , IRLR3636PBF , IRLR6225PBF .
History: IXFK220N15P | DMJ70H900HJ3 | BLP024N10-T
History: IXFK220N15P | DMJ70H900HJ3 | BLP024N10-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606