IRLR2908PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLR2908PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
trⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRLR2908PBF
IRLR2908PBF Datasheet (PDF)
irlr2908pbf irlu2908pbf.pdf
PD - 95552BIRLR2908PbFIRLU2908PbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 80V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 28m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free ID = 30ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniquesto achieve
irlr2908pbf irlu2908pbf.pdf
PD - 95552BIRLR2908PbFIRLU2908PbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 80V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 28m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free ID = 30ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniquesto achieve
auirlr2908.pdf
PD - 97734AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR2908FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar TechnologyD V(BR)DSSl Logic-Level Gate Drive 80Vl Low On-ResistanceRDS(on) typ.22.5ml 175C Operating Temperaturemax 28ml Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID (Silicon Limited)39Al Repetitive Avalanche AllowedSID (Package Limited)30Aup to Tjmaxl Lead-Free,
irlr2908.pdf
PD - 94501IRLR2908AUTOMOTIVE MOSFETIRLU2908HEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 80Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 28ml Fast Switching Gl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 30ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSF
irlr2908tr.pdf
IRLR2908TRwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V37COMPLIANTDTO-252GG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unl
irlr2908.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR2908, IIRLR2908FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)28mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 80 VDSSV Gate-
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918