Справочник MOSFET. IRLU014PBF

 

IRLU014PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLU014PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для IRLU014PBF

 

 

IRLU014PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1143K  international rectifier
irlr014pbf irlu014pbf.pdf

IRLU014PBF
IRLU014PBF

PD - 95360AIRLR014PbFIRLU014PbF Lead-Free1/10/05Document Number: 91321 www.vishay.com1IRLR/U014PbFDocument Number: 91321 www.vishay.com2IRLR/U014PbFDocument Number: 91321 www.vishay.com3IRLR/U014PbFDocument Number: 91321 www.vishay.com4IRLR/U014PbFDocument Number: 91321 www.vishay.com5IRLR/U014PbFDocument Number: 91321 www.vishay.com6IRLR/U01

 ..2. Size:206K  inchange semiconductor
irlu014pbf.pdf

IRLU014PBF
IRLU014PBF

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IRLU014PBFFEATURESLow power lossHigh speed switchingLow on-resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 VD

 7.1. Size:286K  1
irlu014 irlr014.pdf

IRLU014PBF
IRLU014PBF

 7.2. Size:342K  1
irlu014a irlr014a.pdf

IRLU014PBF
IRLU014PBF

 7.3. Size:287K  international rectifier
irlr014npbf irlu014npbf.pdf

IRLU014PBF
IRLU014PBF

PD - 95551BIRLR014NPbFIRLU014NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Surface Mount (IRLR024N)Dl Straight Lead (IRLU024N)VDSS = 55Vl Advanced Process Technologyl Fast SwitchingRDS(on) = 0.14l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 10ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achiev

 7.4. Size:116K  international rectifier
irlr014n irlu014n.pdf

IRLU014PBF
IRLU014PBF

PD- 94350IRLR/U014NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Surface Mount (IRLR024N) VDSS = 55V Straight Lead (IRLU024N) Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.14G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 10ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve the lowest possible on-resistance

 7.5. Size:2163K  vishay
irlr014 irlu014 sihlr014 sihlu014.pdf

IRLU014PBF
IRLU014PBF

IRLR014, IRLU014, SiHLR014, SiHLU014Vishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Surface Mount (IRLR014/SiHLR014)RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.20RoHS* Straight Lead (IRLU014/SiHLU014)Qg (Max.) (nC) 8.4COMPLIANTQgs (nC) 3.5 Available in Tape and ReelQgd (nC) 6.0 Logic-Level Gate DriveConfiguration Singl

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top