IRLU120. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRLU120
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRLU120
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRLU120 даташит
irlr120pbf irlu120pbf.pdf
PD- 95382A IRLR120PbF IRLU120PbF Lead-Free 12/07/04 Document Number 91324 www.vishay.com 1 IRLR/U120PbF Document Number 91324 www.vishay.com 2 IRLR/U120PbF Document Number 91324 www.vishay.com 3 IRLR/U120PbF Document Number 91324 www.vishay.com 4 IRLR/U120PbF Document Number 91324 www.vishay.com 5 IRLR/U120PbF Document Number 91324 www.vishay.com 6 IRLR/U12
irlr120 irlu120 sihlr120 sihlu120.pdf
IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 100 Definition RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.27 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 12 Repetitive Avalanche Rated Surface Mount (IRLR120, SiHLR120) Qgs (nC) 3.0 Straight Lead (IRLU120, SiHLU120) Qgd (nC) 7.1 Available in
irlu120n.pdf
PD - 91541B IRLR/U120N HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRLR120N) D Straight Lead (IRLU120N) VDSS = 100V Advanced Process Technology Fast Switching RDS(on) = 0.185 Fully Avalanche Rated G Description ID = 10A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. Th
irlr120npbf irlu120npbf.pdf
IRLR120NPbF IRLU120NPbF HEXFET Power MOSFET l Surface Mount (IRLR120N) l Straight Lead (IRLU120N) D l Advanced Process Technology VDSS = 100V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.185 l Lead-Free G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 10A S advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance pe
Другие MOSFET... IRLU014N , IRLU014NPBF , IRLU014PBF , IRLU024NPBF , IRLU024PBF , IRLU024ZPBF , IRLU110 , IRLU110PBF , AON6414A , IRLU120NPBF , IRLU120PBF , IRLR014N , IRLR014NPBF , IRLR014PBF , IRLR024NPBF , IRLR024PBF , IRLR024ZPBF .
History: AGM403DG | BSC042NE7NS3G | IPA037N08N3
History: AGM403DG | BSC042NE7NS3G | IPA037N08N3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468





