Справочник MOSFET. IRLML6302PBF-1

 

IRLML6302PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLML6302PBF-1
   Маркировка: C*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.78 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для IRLML6302PBF-1

 

 

IRLML6302PBF-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  international rectifier
 irlml6302pbf-1.pdf

IRLML6302PBF-1 IRLML6302PBF-1

IRLML6302PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -20 VRDS(on) max 0.60 G 1(@V = -4.5V)GSQg (typical) 2.4 nC3 DID -0.78 A(@T = 25C)AS 2Micro3TMFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally FriendlierMSL1, In

 2.1. Size:240K  international rectifier
 irlml6302pbf.pdf

IRLML6302PBF-1 IRLML6302PBF-1

IRLML6302PbFl Generation V Technology HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel P-Channel MOSFETG 1l SOT-23 FootprintVDSS = -20Vl Low Profile (

 2.2. Size:300K  infineon
 irlml6302pbf.pdf

IRLML6302PBF-1 IRLML6302PBF-1

PD - 94947BIRLML6302PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl SOT-23 Footprintl Low Profile (

 5.1. Size:243K  international rectifier
 irlml6302gpbf.pdf

IRLML6302PBF-1 IRLML6302PBF-1

PD - 96159IRLML6302GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl SOT-23 Footprintl Low Profile (

 5.2. Size:100K  international rectifier
 irlml6302.pdf

IRLML6302PBF-1 IRLML6302PBF-1

PD - 9.1259DIRLML6302HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyD Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET VDSS = -20V SOT-23 Footprint Low Profile (

 5.3. Size:146K  tysemi
 irlml6302.pdf

IRLML6302PBF-1 IRLML6302PBF-1

Product specificationIRLML6302PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl SOT-23 Footprintl Low Profile (

 5.4. Size:914K  cn vbsemi
 irlml6302trpbf.pdf

IRLML6302PBF-1 IRLML6302PBF-1

IRLML6302TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATI

 5.5. Size:273K  inchange semiconductor
 irlml6302.pdf

IRLML6302PBF-1 IRLML6302PBF-1

Isc P-Channel MOSFET Transistor IRLML6302FEATURESWith SOT-23 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage -2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top