IRLHS6276PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRLHS6276PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2-6
Аналог (замена) для IRLHS6276PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRLHS6276PBF даташит
irlhs6276pbf.pdf
IRLHS6276PbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V VGS 12 V RDS(on) max D1 45 m G2 (@VGS = 4.5V) S2 D1 D2 RDS(on) max 62 m (@VGS = 2.5V) S1 G1 ID D2 3.4 A (@Tc(Bottom) = 25 C) 2mm x 2mm Dual PQFN Applications Charge and discharge switch for battery application Load/System Switch Features and Benefits Features Resulting Benefits Low RDSon ( 45m )
irlhs6242pbf.pdf
IRLHS6242PbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V TOP VIEW VGS V 12 RDS(on) max D 1 6 D 11.7 m D (@VGS = 4.5V) D G D RDS(on) max D 2 D 5 D 15.5 m (@VGS = 2.5V) D ID S D G 3 4 S S 12 A S (@TC (Bottom) = 25 C) 2mm x 2mm PQFN Applications Charge and discharge switch for battery application System/Load Switch Features and Benefits Features Resulting Benef
irlhs6342pbf.pdf
IRLHS6342PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V TOP VIEW VGS 12 V D 1 6 D RDS(on) max D 15.5 m D (@VGS = 4.5V) G D 2 D 5 D D Qg (typical) 11 nC S G 3 4 S D ID D S 12 A S (@TC (Bottom) = 25 C) 2mm x 2mm PQFN Applications Charge and discharge switch for battery application System/Load Switch Features and Benefits Features Resulting Benefits Low RDSon (
irlhs6376pbf.pdf
IRLHS6376PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V VGS 12 V D1 RDS(on) max 63 m G2 (@VGS = 4.5V) S2 D1 D2 RDS(on) max 82 m (@VGS = 2.5V) S1 G1 ID D2 3.4 A (@Tc(Bottom) = 25 C) 2mm x 2mm Dual PQFN Applications Charge and discharge switch for battery application Load/System Switch Features and Benefits Features Resulting Benefits Low RDSon ( 63m )
Другие MOSFET... IRLML6402PBF , IRLML6402PBF-1 , IRLML9301TRPBF , IRLML9303TRPBF , IRLHM620PBF , IRLHM630PBF , IRLHS2242PBF , IRLHS6242PBF , RU7088R , IRLHS6342PBF , IRLHS6376PBF , IRLH5030PBF , IRLH5034PBF , IRLH5036PBF , IRLH6224PBF , IRLH7134PBF , IRLD014PBF .
History: 2SJ649 | 2SK3650-01L
History: 2SJ649 | 2SK3650-01L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor




