IRLHS6342PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLHS6342PBF
Маркировка: 6342
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2-6
IRLHS6342PBF Datasheet (PDF)
irlhs6342pbf.pdf

IRLHS6342PbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VTOP VIEWVGS12 VD 1 6 DRDS(on) max D15.5 mD(@VGS = 4.5V)GD 2 D 5 D DQg (typical) 11 nCSG 3 4 SDIDDS12 AS(@TC (Bottom) = 25C)2mm x 2mm PQFNApplications Charge and discharge switch for battery application System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsLow RDSon (
irlhs6376pbf.pdf

IRLHS6376PbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS 12 VD1RDS(on) max 63 m G2(@VGS = 4.5V)S2 D1D2RDS(on) max 82 m(@VGS = 2.5V)S1G1ID D23.4 A(@Tc(Bottom) = 25C)2mm x 2mm Dual PQFNApplications Charge and discharge switch for battery application Load/System SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsLow RDSon ( 63m)
irlhs6276pbf.pdf

IRLHS6276PbFHEXFET Power MOSFETVDS20 VVGS12 VRDS(on) max D145 mG2(@VGS = 4.5V)S2 D1D2RDS(on) max 62 m(@VGS = 2.5V)S1G1ID D23.4 A(@Tc(Bottom) = 25C)2mm x 2mm Dual PQFNApplications Charge and discharge switch for battery application Load/System SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsLow RDSon ( 45m)
irlhs6242pbf.pdf

IRLHS6242PbFHEXFET Power MOSFETVDS20 VTOP VIEWVGS V12RDS(on) max D 1 6 D11.7 mD(@VGS = 4.5V)DGDRDS(on) max D 2 D 5 D15.5 m(@VGS = 2.5V)DIDSDG 3 4 SS12 AS(@TC (Bottom) = 25C)2mm x 2mm PQFNApplications Charge and discharge switch for battery application System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting Benef
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: HMS11N70I | IRF540ZSPBF | AOTS32338C | AP9565BGH-HF | AM4492N
History: HMS11N70I | IRF540ZSPBF | AOTS32338C | AP9565BGH-HF | AM4492N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394