IRLD120PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLD120PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: DIP4
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRLD120PBF Datasheet (PDF)
irld120pbf.pdf

PD-95979IRLD120PbF Lead-Free12/20/04Document Number: 91310 www.vishay.com1IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com2IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com3IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com4IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com5IRLD120PbFDocument Number: 91310 www.vishay.com6IRLD120PbFPeak Diode Recovery
irld120pbf sihld120.pdf

IRLD120, SiHLD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 End StackableQgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single
irld120 sihld120.pdf

IRLD120, SiHLD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 End StackableQgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: WSD3028DN | IXTH13N80 | IXFN32N80P | MMN600DB015B | FCA47N60F | SIA483DJ | IPN50R650CE
History: WSD3028DN | IXTH13N80 | IXFN32N80P | MMN600DB015B | FCA47N60F | SIA483DJ | IPN50R650CE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a