Справочник MOSFET. IRFI4410ZGPBF

 

IRFI4410ZGPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFI4410ZGPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFI4410ZGPBF

 

 

IRFI4410ZGPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  international rectifier
 irfi4410zgpbf.pdf

IRFI4410ZGPBF IRFI4410ZGPBF

PD - 96372IRFI4410ZGPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS 100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.7.9ml Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching max. 9.3ml Hard Switched and High Frequency CircuitsID 43ABenefitsDDl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessl Fully Characterized Capacitance and Avalanche

 5.1. Size:315K  international rectifier
 irfi4410zpbf.pdf

IRFI4410ZGPBF IRFI4410ZGPBF

PD - 97475AIRFI4410ZPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS 100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.7.9m:l Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switchingmax. 9.3m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsID 43ABenefitsDDl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessl Fully Characterized Capacitance and Avala

 5.2. Size:582K  infineon
 irfi4410zpbf.pdf

IRFI4410ZGPBF IRFI4410ZGPBF

IRFI4410ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS 100V High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 7.9m High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) max. 9.3mID 43A Benefits Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Characterized Capac

 5.3. Size:256K  inchange semiconductor
 irfi4410z.pdf

IRFI4410ZGPBF IRFI4410ZGPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFI4410Z,IIRFI4410ZFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 9.3m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDevice for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top