Справочник MOSFET. IRFN044

 

IRFN044 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFN044
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 88(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 130(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
 

 Аналог (замена) для IRFN044

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN044 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  international rectifier
irfn044.pdfpdf_icon

IRFN044

PD - 91545A IRFN044POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFN044 0.04 44AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

 0.1. Size:22K  semelab
irfn044smd.pdfpdf_icon

IRFN044

IRFN044SMDSEMELABMECHANICAL DATANCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 9.1. Size:489K  international rectifier
irfn054.pdfpdf_icon

IRFN044

PD - 91543BIRFN054POWER MOSFET 60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (SMD-1)Product SummaryPart Number RDS(on) IDIRFN054 0.020 55A*HEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

 9.2. Size:23K  semelab
irfn054smd.pdfpdf_icon

IRFN044

IRFN054SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

Другие MOSFET... IRFM250 , IRFM340 , IRFM350 , IRFM360 , IRFM440 , IRFM460 , IRFM9140 , IRFM9240 , IRFP250 , IRFN054 , IRFN130 , IRFN140 , IRFN150 , IRFN240 , IRFN250 , IRFN340 , IRFN350 .

History: STD8N10LT4

 

 
Back to Top

 


 
.