Справочник MOSFET. IRFI830GPBF

 

IRFI830GPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI830GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFI830GPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI830GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1541K  vishay
 irfi830gpbf sihfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830GPBF

IRFI830G, SiHFI830GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 1.5f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free

 6.1. Size:170K  international rectifier
 irfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830GPBF

 6.2. Size:1540K  vishay
 irfi830g sihfi830g.pdf pdf_icon

IRFI830GPBF

IRFI830G, SiHFI830GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 1.5f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 38 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 5.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 22 Low Thermal Resistance Lead (Pb)-free

 7.1. Size:213K  1
 irfi830a irfw830a.pdf pdf_icon

IRFI830GPBF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI624GPBF , IRFI710B , IRFI734GPBF , IRFI740B , IRFW740B , IRFI744GPBF , IRFI7536GPBF , IRFI820GPBF , 4N60 , IRFI840GLCPBF , IRFI840GPBF , IRFI9520G , IRFI9520GPBF , IRFI9530GPBF , IRFI9540G , IRFI9540GPBF , IRFI9610G .

 

 
Back to Top

 


 
.