Справочник MOSFET. IRFIB7N50LPBF

 

IRFIB7N50LPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFIB7N50LPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 92 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFIB7N50LPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFIB7N50LPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  international rectifier
irfib7n50lpbf.pdfpdf_icon

IRFIB7N50LPBF

PD - 95750IRFIB7N50LPbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsTrr typ. Zero Voltage Switching SMPS VDSS RDS(on) typ. ID Telecom and Server Power Supplies500V 320m 85ns 6.8A Uninterruptible Power Supplies Motor Control applications Lead-FreeFeatures and Benefits SuperFast body diode eliminates the need for externaldiodes in ZVS applications.

 ..2. Size:871K  vishay
irfib7n50lpbf.pdfpdf_icon

IRFIB7N50LPBF

IRFIB7N50L, SiHFIB7N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Super Fast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 500External Diodes in ZVS ApplicationsRoHSRDS(on) ()VGS = 10 V 0.320 Lower Gate Charge Results in Simpler Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 92ReqirementsQgs (nC) 24 Enhanced dV/dt Capabilities Offer ImprovedQgd (nC) 44Ruggedness

 5.1. Size:197K  international rectifier
irfib7n50apbf.pdfpdf_icon

IRFIB7N50LPBF

PD - 94805SMPS MOSFETIRFIB7N50APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.52 6.6A High speed power switching High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Lead-FreeBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt RuggednessG D S Ful

 5.2. Size:96K  international rectifier
irfib7n50a.pdfpdf_icon

IRFIB7N50LPBF

PD - 91810SMPS MOSFET IRFIB7N50AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.52 6.6A High speed power switching High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Benefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capaci

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIHF510 | IRFU9012 | SM3322NHQA | JANSR2N7272 | IRF641

 

 
Back to Top

 


 
.