IRFIB7N50LPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFIB7N50LPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRFIB7N50LPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFIB7N50LPBF даташит
irfib7n50lpbf.pdf
PD - 95750 IRFIB7N50LPbF SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET Applications Trr typ. Zero Voltage Switching SMPS VDSS RDS(on) typ. ID Telecom and Server Power Supplies 500V 320m 85ns 6.8A Uninterruptible Power Supplies Motor Control applications Lead-Free Features and Benefits SuperFast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications.
irfib7n50lpbf.pdf
IRFIB7N50L, SiHFIB7N50L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Super Fast Body Diode Eliminates the Need for VDS (V) 500 External Diodes in ZVS Applications RoHS RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.320 Lower Gate Charge Results in Simpler Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 92 Reqirements Qgs (nC) 24 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Qgd (nC) 44 Ruggedness
irfib7n50apbf.pdf
PD - 94805 SMPS MOSFET IRFIB7N50APbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.52 6.6A High speed power switching High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Lead-Free Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness G D S Ful
irfib7n50a.pdf
PD - 91810 SMPS MOSFET IRFIB7N50A HEXFET Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 500V 0.52 6.6A High speed power switching High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capaci
Другие MOSFET... IRFI9Z24GPBF , IRFI9Z34G , IRFI9Z34GPBF , IRFIB41N15DPBF , IRFIB5N50LPBF , IRFIB5N65APBF , IRFIB6N60APBF , IRFIB7N50APBF , IRF520 , IRFIB8N50K , IRFIBC30GPBF , IRL8113LPBF , IRL8113SPBF , IRL8114PBF , IRLB3034PBF , IRLB3036GPBF , IRLB3036PBF .
History: AP65WN470I
History: AP65WN470I
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor





