Справочник MOSFET. IRFIBC30GPBF

 

IRFIBC30GPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFIBC30GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFIBC30GPBF

 

 

IRFIBC30GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:928K  vishay
 irfibc30gpbf.pdf

IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF

IRFIBC30G, SiHFIBC30GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 2.2f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 31 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 4.6 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 17 Lead (Pb)-

 5.1. Size:284K  international rectifier
 irfibc30g.pdf

IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF

PD - 95611IRFIBC30GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91180 www.vishay.com1IRFIBC30GPbFDocument Number: 91180 www.vishay.com2IRFIBC30GPbFDocument Number: 91180 www.vishay.com3IRFIBC30GPbFDocument Number: 91180 www.vishay.com4IRFIBC30GPbFDocument Number: 91180 www.vishay.com5IRFIBC30GPbFDocument Number: 91180 www.vishay.com6IRFIBC30GPbFPeak

 5.2. Size:923K  vishay
 irfibc30g sihfibc30g.pdf

IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF

IRFIBC30G, SiHFIBC30GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 2.2f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 31 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 4.6 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 17 Lead (Pb)-

 5.3. Size:275K  inchange semiconductor
 irfibc30g.pdf

IRFIBC30GPBF IRFIBC30GPBF

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFIBC30GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =2.2 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NVB110N65S3F | PHP33NQ20T

 

 
Back to Top