Справочник MOSFET. IRFIBC30GPBF

 

IRFIBC30GPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFIBC30GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFIBC30GPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFIBC30GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:928K  vishay
 irfibc30gpbf.pdf pdf_icon

IRFIBC30GPBF

IRFIBC30G, SiHFIBC30GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 2.2f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 31 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 4.6 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 17 Lead (Pb)-

 5.1. Size:284K  international rectifier
 irfibc30g.pdf pdf_icon

IRFIBC30GPBF

PD - 95611IRFIBC30GPbF Lead-Free7/29/04Document Number: 91180 www.vishay.com1IRFIBC30GPbFDocument Number: 91180 www.vishay.com2IRFIBC30GPbFDocument Number: 91180 www.vishay.com3IRFIBC30GPbFDocument Number: 91180 www.vishay.com4IRFIBC30GPbFDocument Number: 91180 www.vishay.com5IRFIBC30GPbFDocument Number: 91180 www.vishay.com6IRFIBC30GPbFPeak

 5.2. Size:923K  vishay
 irfibc30g sihfibc30g.pdf pdf_icon

IRFIBC30GPBF

IRFIBC30G, SiHFIBC30GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 600Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 2.2f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 31 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 4.6 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 17 Lead (Pb)-

 5.3. Size:275K  inchange semiconductor
 irfibc30g.pdf pdf_icon

IRFIBC30GPBF

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFIBC30GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =2.2 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI9Z34GPBF , IRFIB41N15DPBF , IRFIB5N50LPBF , IRFIB5N65APBF , IRFIB6N60APBF , IRFIB7N50APBF , IRFIB7N50LPBF , IRFIB8N50K , IRF2807 , IRL8113LPBF , IRL8113SPBF , IRL8114PBF , IRLB3034PBF , IRLB3036GPBF , IRLB3036PBF , IRLB3813PBF , IRLB4030PBF .

History: WML22N50C4 | WPM1488 | FQB47P06TMAM002

 

 
Back to Top

 


 
.