Справочник MOSFET. IRL8114PBF

 

IRL8114PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL8114PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 103 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRL8114PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL8114PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  international rectifier
irl8114pbf.pdfpdf_icon

IRL8114PBF

IRL8114PbF HEXFET Power MOSFET Application Optimized for UPS/Inverter Applications VDSS 30V D Low Voltage Power Tools RDS(on) typ. 3.5m max 4.5mGBenefits ID (Silicon Limited) 120A Low RDS(on) at 4.5V VGS S Low Gate Charge ID (Package Limited) 90A Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA Lead-Free

 7.1. Size:246K  inchange semiconductor
irl8114.pdfpdf_icon

IRL8114PBF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRL8114IIRL8114FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 4.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

 8.1. Size:279K  international rectifier
irl8113lpbf irl8113spbf irl8113pbf.pdfpdf_icon

IRL8114PBF

PD - 95582IRL8113PbFIRL8113SPbFIRL8113LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor PowerVDSS RDS(on) maxQg (Typ.)l Lead-Free30V 6.0m 23nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentTO-220AB D2Pak TO-262IRL8113 IRL8113S IRL8113LAbsolute Maximum

 8.2. Size:269K  inchange semiconductor
irl8113s.pdfpdf_icon

IRL8114PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL8113SDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6m@V = 10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Provides the designer with an extremely efficient andreliable device for use in a wide variety of applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие MOSFET... IRFIB5N65APBF , IRFIB6N60APBF , IRFIB7N50APBF , IRFIB7N50LPBF , IRFIB8N50K , IRFIBC30GPBF , IRL8113LPBF , IRL8113SPBF , K2611 , IRLB3034PBF , IRLB3036GPBF , IRLB3036PBF , IRLB3813PBF , IRLB4030PBF , IRLB8314PBF , IRLB8721PBF , IRLB8743PBF .

History: APT6035AVR | FDA20N50F | FQA10N80CF109 | IRFI634A | APT6040BN | APT6037HVR

 

 
Back to Top

 


 
.