Справочник MOSFET. IRFN440

 

IRFN440 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFN440
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 68.5(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 73(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
 

 Аналог (замена) для IRFN440

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFN440 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  international rectifier
 irfn440.pdf pdf_icon

IRFN440

PD - 91552CIRFN440JANTX2N7222UJANTXV2N7222UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596SURFACE MOUNT(SMD-1) 500V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN440 0.85 8.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.1. Size:182K  international rectifier
 irfn450.pdf pdf_icon

IRFN440

PD - 90418CIRFN450JANTX2N7228UJANTXV2N7228UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 500V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN450 0.415 12AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

Другие MOSFET... IRFN054 , IRFN130 , IRFN140 , IRFN150 , IRFN240 , IRFN250 , IRFN340 , IRFN350 , 5N65 , IRFN450 , IRFN9130 , IRFN9130SMD , IRFN9140 , IRFN9140SMD , IRFN9240 , IRFP044 , IRFP044N .

 

 
Back to Top

 


 
.