IRL3705NPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRL3705NPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRL3705NPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRL3705NPBF даташит
irl3705npbf.pdf
PD - 94960 IRL3705NPbF Lead-Free www.irf.com 1 IRL3705NPbF 2 www.irf.com IRL3705NPbF www.irf.com 3 IRL3705NPbF 4 www.irf.com IRL3705NPbF www.irf.com 5 IRL3705NPbF 6 www.irf.com IRL3705NPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit *
irl3705nspbf irl3705nlpbf.pdf
PD - 95381 IRL3705NSPbF l Logic-Level Gate Drive IRL3705NLPbF l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRL3705NS) HEXFET Power MOSFET l Low-profile through-hole (IRL3705NL) D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.01 l Lead-Free G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier ID = 89A S
auirl3705n.pdf
PD - 96352 AUTOMOTIVE GRADE AUIRL3705N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology D Logic-Level Gate Drive V(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.01 Fast Switching G Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID S 89A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description S Sp
irl3705n.pdf
PD - 9.1370C IRL3705N HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.01 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 89A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance pe
Другие MOSFET... IRL3714PBF , IRL3714S , IRL3714SPBF , IRL3714ZL , IRL3714ZLPBF , IRL3714ZPBF , IRL3714ZSPBF , IRL3705NLPBF , IRFP450 , IRL3705NSPBF , IRL3705ZLPBF , IRL3705ZPBF , IRL3705ZSPBF , IRL3713L , IRL3713PBF , IRL3713SPBF , IRL3502PBF .
History: SSF65R190SFD | IRL3715ZLPBF | IRL1104LPBF
History: SSF65R190SFD | IRL3715ZLPBF | IRL1104LPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566





