IRL3705NPBF - описание и поиск аналогов

 

IRL3705NPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL3705NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 89 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRL3705NPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL3705NPBF даташит

 ..1. Size:481K  international rectifier
irl3705npbf.pdfpdf_icon

IRL3705NPBF

PD - 94960 IRL3705NPbF Lead-Free www.irf.com 1 IRL3705NPbF 2 www.irf.com IRL3705NPbF www.irf.com 3 IRL3705NPbF 4 www.irf.com IRL3705NPbF www.irf.com 5 IRL3705NPbF 6 www.irf.com IRL3705NPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit *

 6.1. Size:297K  international rectifier
irl3705nspbf irl3705nlpbf.pdfpdf_icon

IRL3705NPBF

PD - 95381 IRL3705NSPbF l Logic-Level Gate Drive IRL3705NLPbF l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRL3705NS) HEXFET Power MOSFET l Low-profile through-hole (IRL3705NL) D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.01 l Lead-Free G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier ID = 89A S

 6.2. Size:1024K  international rectifier
auirl3705n.pdfpdf_icon

IRL3705NPBF

PD - 96352 AUTOMOTIVE GRADE AUIRL3705N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology D Logic-Level Gate Drive V(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.01 Fast Switching G Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID S 89A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description S Sp

 6.3. Size:106K  international rectifier
irl3705n.pdfpdf_icon

IRL3705NPBF

PD - 9.1370C IRL3705N HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.01 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 89A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance pe

Другие MOSFET... IRL3714PBF , IRL3714S , IRL3714SPBF , IRL3714ZL , IRL3714ZLPBF , IRL3714ZPBF , IRL3714ZSPBF , IRL3705NLPBF , IRFP450 , IRL3705NSPBF , IRL3705ZLPBF , IRL3705ZPBF , IRL3705ZSPBF , IRL3713L , IRL3713PBF , IRL3713SPBF , IRL3502PBF .

History: SSF65R190SFD | IRL3715ZLPBF | IRL1104LPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.