IRL3502PBF - описание и поиск аналогов

 

IRL3502PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL3502PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRL3502PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL3502PBF даташит

 ..1. Size:176K  international rectifier
 irl3502pbf.pdf pdf_icon

IRL3502PBF

PD - 94879 IRL3502PbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive VDSS = 20V l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Fast Switching RDS(on) = 0.007 l Lead-Free G ID = 110A Description S These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters in the PC environment. Advanced proce

 7.1. Size:76K  international rectifier
 irl3502.pdf pdf_icon

IRL3502PBF

PD 9.1698A IRL3502 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive VDSS = 20V Ideal for CPU Core DC-DC Converters Fast Switching RDS(on) = 0.007 G ID = 110A Description S These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters. Advanced processing techniques combined with

 7.2. Size:242K  international rectifier
 irl3502spbf.pdf pdf_icon

IRL3502PBF

IRL3502SPbF l D l l l l G l Description S

 7.3. Size:128K  international rectifier
 irl3502s.pdf pdf_icon

IRL3502PBF

PD -9.1676A IRL3502S PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount VDSS = 20V Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive Ideal for CPU Core DC-DC Converters RDS(on) = 0.007W Fast Switching G ID = 110A Description S These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters in the PC environment. Advanced

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRL3705NPBF , IRL3705NSPBF , IRL3705ZLPBF , IRL3705ZPBF , IRL3705ZSPBF , IRL3713L , IRL3713PBF , IRL3713SPBF , 10N65 , IRL3502SPBF , IRL1004LPBF , IRL1004PBF , IRL1004SPBF , IRL1104 , IRL1104L , IRL1104LPBF , IRL1104PBF .

History: KQB12P20

 

 

 

 

↑ Back to Top
.