Справочник MOSFET. IRL3502SPBF

 

IRL3502SPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL3502SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL3502SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  international rectifier
 irl3502spbf.pdf pdf_icon

IRL3502SPBF

IRL3502SPbF l Dl l l l Gl Description S

 6.1. Size:128K  international rectifier
 irl3502s.pdf pdf_icon

IRL3502SPBF

PD -9.1676AIRL3502SPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface MountVDSS = 20V Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive Ideal for CPU Core DC-DC ConvertersRDS(on) = 0.007W Fast SwitchingGID = 110A Description SThese HEXFET Power MOSFETs were designedspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters in the PC environment. Advanced

 7.1. Size:76K  international rectifier
 irl3502.pdf pdf_icon

IRL3502SPBF

PD 9.1698AIRL3502PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Optimized for 4.5V-7.0V Gate DriveVDSS = 20V Ideal for CPU Core DC-DC Converters Fast SwitchingRDS(on) = 0.007GID = 110A DescriptionSThese HEXFET Power MOSFETs were designedspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters. Advanced processing techniquescombined with

 7.2. Size:176K  international rectifier
 irl3502pbf.pdf pdf_icon

IRL3502SPBF

PD - 94879IRL3502PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Optimized for 4.5V-7.0V Gate DriveVDSS = 20Vl Ideal for CPU Core DC-DC Convertersl Fast SwitchingRDS(on) = 0.007l Lead-FreeGID = 110ADescriptionSThese HEXFET Power MOSFETs were designedspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters in the PC environment. Advancedproce

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRL3705NSPBF , IRL3705ZLPBF , IRL3705ZPBF , IRL3705ZSPBF , IRL3713L , IRL3713PBF , IRL3713SPBF , IRL3502PBF , 2N60 , IRL1004LPBF , IRL1004PBF , IRL1004SPBF , IRL1104 , IRL1104L , IRL1104LPBF , IRL1104PBF , IRL1104S .

 

 
Back to Top

 


 
.