IRL1004LPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRL1004LPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRL1004LPBF
IRL1004LPBF Datasheet (PDF)
irl1004lpbf irl1004spbf.pdf

PD - 95575IRL1004SPbFIRL1004LPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 40Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.0065l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 130ADescriptionSFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier u
irl1004s irl1004l.pdf

PD - 91644AIRL1004S IRL1004L Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance DVDSS = 40V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.0065G Fully Avalanche RatedDescriptionID = 130A SFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processing
irl1004.pdf

PD - 91702BIRL1004HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process Technology VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.0065 175C Operating TemperatureG Fast SwitchingID = 130A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processing techniques
irl1004pbf.pdf

PD - 95403IRL1004PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDVDSS = 40Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.0065l Fast Switching Gl Fully Avalanche RatedID = 130Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced
Другие MOSFET... IRL3705ZLPBF , IRL3705ZPBF , IRL3705ZSPBF , IRL3713L , IRL3713PBF , IRL3713SPBF , IRL3502PBF , IRL3502SPBF , SKD502T , IRL1004PBF , IRL1004SPBF , IRL1104 , IRL1104L , IRL1104LPBF , IRL1104PBF , IRL1104S , IRL1104SPBF .
History: IPI60R520CP | WMM180N03TS
History: IPI60R520CP | WMM180N03TS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet