Справочник MOSFET. IRL1104

 

IRL1104 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRL1104
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
   trⓘ - Время нарастания: 257 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1065 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRL1104

 

 

IRL1104 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  international rectifier
 irl1104pbf.pdf

IRL1104 IRL1104

PD - 95404IRL1104PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-Free ID = 104ASDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced

 ..2. Size:95K  international rectifier
 irl1104.pdf

IRL1104 IRL1104

PD -91805IRL1104HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 104AUSDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to

 0.1. Size:192K  international rectifier
 irl1104s.pdf

IRL1104 IRL1104

PD -91840PRELIMINARYIRL1104S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 40V Surface Mount (IRL1104S) Low-profile through-hole (IRL1104L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 104A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processin

 0.2. Size:141K  international rectifier
 irl1104l irl1104s.pdf

IRL1104 IRL1104

PD -91840PRELIMINARYIRL1104S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 40V Surface Mount (IRL1104S) Low-profile through-hole (IRL1104L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 104A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processin

 0.3. Size:226K  international rectifier
 irl1104lpbf irl1104spbf.pdf

IRL1104 IRL1104

PD -95576IRL1104SPbFIRL1104LPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRL1104S) DVDSS = 40Vl Low-profile through-hole (IRL1104L)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 104Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier util

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top