Справочник MOSFET. IRL1104

 

IRL1104 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL1104
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 257 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1065 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL1104 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  international rectifier
 irl1104pbf.pdf pdf_icon

IRL1104

PD - 95404IRL1104PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-Free ID = 104ASDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced

 ..2. Size:95K  international rectifier
 irl1104.pdf pdf_icon

IRL1104

PD -91805IRL1104HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 104AUSDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to

 0.1. Size:192K  international rectifier
 irl1104s.pdf pdf_icon

IRL1104

PD -91840PRELIMINARYIRL1104S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 40V Surface Mount (IRL1104S) Low-profile through-hole (IRL1104L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 104A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processin

 0.2. Size:141K  international rectifier
 irl1104l irl1104s.pdf pdf_icon

IRL1104

PD -91840PRELIMINARYIRL1104S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 40V Surface Mount (IRL1104S) Low-profile through-hole (IRL1104L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 104A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRL3713L , IRL3713PBF , IRL3713SPBF , IRL3502PBF , IRL3502SPBF , IRL1004LPBF , IRL1004PBF , IRL1004SPBF , AON6380 , IRL1104L , IRL1104LPBF , IRL1104PBF , IRL1104S , IRL1104SPBF , IRL1404LPBF , IRL1404PBF , IRL1404SPBF .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.