IRL3302SPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRL3302SPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IRL3302SPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRL3302SPBF даташит
irl3302spbf.pdf
PD- 95587 IRL3302SPbF HEXFET Power MOSFET D VDSS = 20V RDS(on) = 0.020 G Lead-Free S ID = 39A www.irf.com 1 07/20/04 IRL3302SPbF 2 www.irf.com IRL3302SPbF www.irf.com 3 IRL3302SPbF 4 www.irf.com IRL3302SPbF www.irf.com 5 IRL3302SPbF 6 www.irf.com IRL3302SPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Induct
irl3302s.pdf
PD - 9.1692A IRL3302S PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount VDSS = 20V Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive Ideal for CPU Core DC-DC Converters RDS(on) = 0.020W Fast Switching G ID = 39A S Description These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters. Advanced processing techniques
irl3302.pdf
PD 9.1696A IRL3302 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Optimized for 4.5V Gate Drive VDSS = 20V Ideal for CPU Core DC-DC Converters 150 C Operating Temperature RDS(on) = 0.020W Fast Switching G Description ID = 39A These HEXFET Power MOSFETs were designed S specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters in the PC environment. Adv
irl3303lpbf irl3303spbf.pdf
PD - 95578 IRL3303LPbF IRL3303SPbF l Logic-Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Surface Mount (IRL3303S) VDSS = 30V l Low-profile through-hole (IRL3303L) l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.026 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 38A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utili
Другие IGBT... IRL2910SPBF, IRL3102PBF, IRL3102SPBF, IRL3103D2PBF, IRL3103LPBF, IRL3103PBF, IRL3103SPBF, IRL3202PBF, AOD4184A, IRL3303LPBF, IRL3303PBF, IRL3303SPBF, IRHY57034CM, IRHY57130CM, IRHY57133CMSE, IRHY57230CMSE, IRHY57234CMSE
History: CS3R50FA9 | IRHM9130
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710







