IRL3303LPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRL3303LPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
trⓘ - Время нарастания: 200 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRL3303LPBF
IRL3303LPBF Datasheet (PDF)
irl3303lpbf irl3303spbf.pdf
PD - 95578IRL3303LPbFIRL3303SPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRL3303S)VDSS = 30Vl Low-profile through-hole (IRL3303L)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.026l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 38Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutili
irl3303s irl3303l.pdf
PD - 9.1323BIRL3303S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 30V Surface Mount (IRL3303S) Low-profile through-hole (IRL3303L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.026 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 38ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques
irl3303.pdf
PD - 9.1322BIRL3303HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 30V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.026 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 38ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistan
irl3303pbf.pdf
PD - 94887IRL3303PbFHEXFET Power MOSFET Lead-Freewww.irf.com 112/11/03IRL3303PbF2 www.irf.comIRL3303PbFwww.irf.com 3IRL3303PbF4 www.irf.comIRL3303PbFwww.irf.com 5IRL3303PbF6 www.irf.comIRL3303PbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout ConsiderationsD.U.T Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage Inductance
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918