IRHYB597034CM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHYB597034CM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 565 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.087 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для IRHYB597034CM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHYB597034CM даташит

 ..1. Size:191K  international rectifier
 irhyb597034cm.pdf pdf_icon

IRHYB597034CM

PD-97000 RADIATION HARDENED IRHYB597034CM POWER MOSFET 60V, P-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597034CM 100K Rads (Si) 0.087 -20A IRHYB593034CM 300K Rads (Si) 0.087 -20A Low-Ohmic TO-257AA (Tab-less) International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance

 6.1. Size:181K  international rectifier
 irhyb597z30cm.pdf pdf_icon

IRHYB597034CM

PD - 95819 RADIATION HARDENED IRHYB597Z30CM POWER MOSFET 30V, P-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597Z30CM 100K Rads (Si) 0.048 -20A* IRHYB593Z30CM 300K Rads (Si) 0.048 -20A* Low-Ohmic TO-257AA Tabless International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance

 9.1. Size:190K  international rectifier
 irhyb67230cm.pdf pdf_icon

IRHYB597034CM

PD-95818D RADIATION HARDENED IRHYB67230CM POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYB63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16A Low-Ohmic TO-257AA Tabless International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. These d

 9.2. Size:184K  international rectifier
 irhyb67130cm.pdf pdf_icon

IRHYB597034CM

PD-95841B RADIATION HARDENED IRHYB67130CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYB63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A* Low-Ohmic TO-257AA Tabless International Rectifier s R6TM technology provides superior power MOSFETs for space applications. The

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHY597130CM, IRHY597230CM, IRHY67434CM, IRHY67C30CM, IRHY7130CM, IRHY7230CM, IRHY9130CM, IRHY9230CM, IRFB4110, IRHYB597Z30CM, IRHYB67130CM, IRHYB67134CM, IRHYB67230CM, IRHYK57133CMSE, IRHYS597034CM, IRHYS597Z30CM, IRHYS67130CM