Справочник MOSFET. IRHYB597Z30CM

 

IRHYB597Z30CM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHYB597Z30CM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для IRHYB597Z30CM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHYB597Z30CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  international rectifier
 irhyb597z30cm.pdf pdf_icon

IRHYB597Z30CM

PD - 95819RADIATION HARDENED IRHYB597Z30CMPOWER MOSFET30V, P-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597Z30CM 100K Rads (Si) 0.048 -20A* IRHYB593Z30CM 300K Rads (Si) 0.048 -20A*Low-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance

 6.1. Size:191K  international rectifier
 irhyb597034cm.pdf pdf_icon

IRHYB597Z30CM

PD-97000RADIATION HARDENED IRHYB597034CMPOWER MOSFET60V, P-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB597034CM 100K Rads (Si) 0.087 -20A IRHYB593034CM 300K Rads (Si) 0.087 -20ALow-OhmicTO-257AA (Tab-less)International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance

 9.1. Size:190K  international rectifier
 irhyb67230cm.pdf pdf_icon

IRHYB597Z30CM

PD-95818DRADIATION HARDENED IRHYB67230CMPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYB63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16ALow-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.These d

 9.2. Size:184K  international rectifier
 irhyb67130cm.pdf pdf_icon

IRHYB597Z30CM

PD-95841BRADIATION HARDENED IRHYB67130CMPOWER MOSFET 100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYB67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYB63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A*Low-OhmicTO-257AA TablessInternational Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.The

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRHY597230CM , IRHY67434CM , IRHY67C30CM , IRHY7130CM , IRHY7230CM , IRHY9130CM , IRHY9230CM , IRHYB597034CM , IRF630 , IRHYB67130CM , IRHYB67134CM , IRHYB67230CM , IRHYK57133CMSE , IRHYS597034CM , IRHYS597Z30CM , IRHYS67130CM , IRHYS67134CM .

History: VS3640AE | SUD40N10-25 | HM4490 | 2SK3682-01 | APT12045L2VFRG | HM12N60 | SFB037N40C2

 

 
Back to Top

 


 
.