IRHN7450SE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHN7450SE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm

Тип корпуса: TO276AB

Аналог (замена) для IRHN7450SE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHN7450SE даташит

 ..1. Size:246K  international rectifier
 irhn7450se.pdf pdf_icon

IRHN7450SE

PD - 91313C RADIATION HARDENED IRHN7450SE RADIATION HARDENED IRHN7450SE RADIATION HARDENED IRHN7450SE RADIATION HARDENED IRHN7450SE RADIATION HARDENED IRHN7450SE POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-1) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (SMD-1) RAD

 6.1. Size:1035K  international rectifier
 irhm7054 irhm7150 irhm7250 irhm7450 irhn7054 irhn7150 irhn7250 irhn7450.pdf pdf_icon

IRHN7450SE

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/603J shall be completed by 20 June 2013. 6 May 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/603H 1 July 2011 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7268, 2N7269,

 6.2. Size:310K  international rectifier
 irhn7450.pdf pdf_icon

IRHN7450SE

PD - 90819A IRHN7450 IRHN8450 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANSR2N7270U HEXFET TRANSISTOR JANSH2N7270U N CHANNEL MEGA RAD HARD 500Volt, 0.45 , MEGA RAD HARD HEXFET Product Summary International Rectifier s RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage IRHN7450 500V 0.45 11A stability and breakdown

 9.1. Size:277K  international rectifier
 irhn7250.pdf pdf_icon

IRHN7450SE

PD - 90679F IRHN7250 JANSR2N7269U RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/603 SURFACE MOUNT(SMD-1) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHN7250 100K Rads (Si) 0.1 26A JANSR2N7269U IRHN3250 300K Rads (Si) 0.1 26A JANSF2N7269U IRHN4250 600K Rads (Si) 0.1 26A JANSG2N7269U IRHN8250

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHN57250SE, IRHN7054, IRHN7130, IRHN7150, IRHN7230, IRHN7250, IRHN7250SE, IRHN7450, IRF9540N, IRHN7C50SE, IRHN9130, IRHN9150, IRHN9230, IRHN9250, IRHM57064, IRHM57160, IRHM57260