IRHN9250. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHN9250

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm

Тип корпуса: TO276AB

Аналог (замена) для IRHN9250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHN9250 даташит

 ..1. Size:126K  international rectifier
 irhn9250.pdf pdf_icon

IRHN9250

PD - 91300B IRHN9250 RADIATION HARDENED JANSR2N7423U POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-1) REF MIL-PRF-19500/662 RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHN9250 100K Rads (Si) 0.315 -14A JANSR2N7423U IRHN93250 300K Rads (Si) 0.315 -14A JANSF2N7423U SMD-1 International Rectifier s RADHard HEXFET

 ..2. Size:272K  international rectifier
 irhm9150 irhm9250 irhn9150 irhn9250.pdf pdf_icon

IRHN9250

The documentation and process conversion INCH-POUND measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/662F shall be completed by 9 August 2014. w/AMENDMENT 1 9 May 2014 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/662F 10 December 2013 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED P-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7422, 2N7422U

 8.1. Size:36K  international rectifier
 irhn9230.pdf pdf_icon

IRHN9250

Provisional Data Sheet No. PD-9.1445 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHN9230 HEXFET TRANSISTOR P-CHANNEL RAD HARD -200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET Product Summary , International Rectifier s P-Channel RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stability and breakdown voltage stability at total radiati

 9.1. Size:128K  international rectifier
 irhn9150.pdf pdf_icon

IRHN9250

PD - 90885D IRHN9150 RADIATION HARDENED JANSR2N7422U POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-1) REF MIL-PRF-19500/662 RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHN9150 100K Rads (Si) 0.080 -22A JANSR2N7422U IRHN93150 300K Rads (Si) 0.080 -22A JANSF2N7422U SMD-1 International Rectifier s RADHard HEXFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHN7250, IRHN7250SE, IRHN7450, IRHN7450SE, IRHN7C50SE, IRHN9130, IRHN9150, IRHN9230, IRFP260, IRHM57064, IRHM57160, IRHM57260, IRHM57260SE, IRHM57264SE, IRHM57Z60, IRHM7054, IRHM7064