Справочник MOSFET. IRHM57064

 

IRHM57064 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHM57064
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для IRHM57064

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHM57064 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  international rectifier
 irhm57064.pdf pdf_icon

IRHM57064

PD-93792ERADIATION HARDENED IRHM57064POWER MOSFET60V, N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57064 100K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM53064 300K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM54064 600K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM58064 1000K Rads (Si) 0.013 35A*TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology

 8.1. Size:111K  international rectifier
 irhm57260.pdf pdf_icon

IRHM57064

PD - 91862DRADIATION HARDENED IRHM57260POWER MOSFET 200V, N-CHANNELTECHNOLOGY44THRU-HOLE (TO-254AA) #cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260 100K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM53260 300K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM54260 600K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM58260 1000K Rads (Si) 0.050 35A*TO-254AAFeatures:International Rectifiers R5TM

 8.2. Size:181K  international rectifier
 irhm57260se.pdf pdf_icon

IRHM57064

PD - 93880CRADIATION HARDENED IRHM57260SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A* TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardenedapplications. T

 8.3. Size:166K  international rectifier
 irhm57264se.pdf pdf_icon

IRHM57064

PD-93798BRADIATION HARDENED IRHM57264SEPOWER MOSFET250V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57264SE 100K Rads (Si) 0.066 35A* TO-254International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applications. These devices have been char

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRHN7250SE , IRHN7450 , IRHN7450SE , IRHN7C50SE , IRHN9130 , IRHN9150 , IRHN9230 , IRHN9250 , 2SK3568 , IRHM57160 , IRHM57260 , IRHM57260SE , IRHM57264SE , IRHM57Z60 , IRHM7054 , IRHM7064 , IRHM7130 .

History: IRF7706G

 

 
Back to Top

 


 
.