IRHM7230. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRHM7230
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для IRHM7230
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRHM7230 даташит
irhm7230.pdf
PD - 90713E IRHM7230 IRHM7230 IRHM7230 RADIATION HARDENED IRHM7230 RADIATION HARDENED IRHM7230 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TE
irhm7260.pdf
PD - 91332D IRHM7260 IRHM7260 IRHM7260 IRHM7260 IRHM7260 JANSR2N7433 JANSR2N7433 JANSR2N7433 JANSR2N7433 JANSR2N7433 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET REF MIL-PR
irhm7264se.pdf
PD - 91393E IRHM7264SE IRHM7264SE IRHM7264SE IRHM7264SE IRHM7264SE JANSR2N7434 JANSR2N7434 JANSR2N7434 JANSR2N7434 JANSR2N7434 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 250V, N-CHANNEL 250V, N-CHANNEL 250V, N-CHANNEL 250V, N-CHANNEL 250V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET REF
irhm7264se irhm7360se irhm7460se.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/661E shall be completed by 25 May 2014. 25 February 2014 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/661D 17 April 2013 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED * TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7444, 2N7434, 2N7391, AND
Другие IGBT... IRHM57260SE, IRHM57264SE, IRHM57Z60, IRHM7054, IRHM7064, IRHM7130, IRHM7150, IRHM7160, IRF530, IRHM7250, IRHM7260, IRHM7264SE, IRHM7360, IRHM7360SE, IRHM7450, IRHM7450SE, IRHM7460SE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815








