IRHM7360. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHM7360

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для IRHM7360

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHM7360 даташит

 ..1. Size:295K  international rectifier
irhm7360.pdfpdf_icon

IRHM7360

PD - 90823A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHM7360 HEXFET TRANSISTOR IRHM8360 N CHANNEL MEGA RAD HARD Product Summary 400Volt, 0.22 , MEGA RAD HARD HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID International Rectifier s RAD HARD technology HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage IRHM7360 400V 0.22 22A stability and breakdown voltage stability at tota

 0.1. Size:384K  international rectifier
irhm7264se irhm7360se irhm7460se.pdfpdf_icon

IRHM7360

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/661E shall be completed by 25 May 2014. 25 February 2014 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/661D 17 April 2013 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED * TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7444, 2N7434, 2N7391, AND

 0.2. Size:270K  international rectifier
irhm7360se.pdfpdf_icon

IRHM7360

PD - 91224D IRHM7360SE IRHM7360SE IRHM7360SE IRHM7360SE IRHM7360SE JANSR2N7391 JANSR2N7391 JANSR2N7391 JANSR2N7391 JANSR2N7391 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 400V, N-CHANNEL 400V, N-CHANNEL 400V, N-CHANNEL 400V, N-CHANNEL 400V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET REF

 9.1. Size:138K  international rectifier
irhm7450se.pdfpdf_icon

IRHM7360

PD - 91223D RADIATION HARDENED IRHM7450SE POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHM7450SE 100K Rads (Si) 0.51 12A TO-254AA International Rectifier s RADHardTM HEXFET MOSFET technology provides high performance power MOSFETs Features for space applications. This technology

Другие IGBT... IRHM7064, IRHM7130, IRHM7150, IRHM7160, IRHM7230, IRHM7250, IRHM7260, IRHM7264SE, STP80NF70, IRHM7360SE, IRHM7450, IRHM7450SE, IRHM7460SE, IRHM7Z60, IRHM9064, IRHM9130, IRHM9150