IRHM9064. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRHM9064
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для IRHM9064
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRHM9064 даташит
irhm9064.pdf
PD - 91438B IRHM9064 JANSR2N7424 RADIATION HARDENED 60V, P-CHANNEL POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/660 THRU-HOLE (TO-254AA) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHM9064 100K Rads (Si) 0.05 -35A* JANSR2N7424 IRHM93064 300K Rads (Si) 0.05 -35A* JANSF2N7424 International Rectifier s RAD-Hard HEXFETTM technol-
irhm9064 irhm9160 irhm9260.pdf
The documentation and process conversion measures INCH-POUND necessary to comply with this document shall be MIL-PRF-19500/660E completed by 6 February 2014. 6 December 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/660D 11 February 2013 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED TRANSISTOR, P-CHANNEL SILICON, TYPES 2N7424, 2N7425, AND 2N7426
irhm9230.pdf
Provisional Data Sheet No. PD-9.1395 I T TI T T T I T Product Summary -200 Volt, 0.8 RAD HARD HEXFET , International Rectifier s P-Channel RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stability and breakdown voltage stability at total radiation doses as IRHM9230 -200V 0.8 -6.5A high as 105 Rads (Si).
irhm93160.pdf
Preliminary Data Sheet No. PD-9.1415B REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHM9160 HEXFET TRANSISTOR IRHM93160 P-CHANNEL RAD HARD -100 Volt, 0.073 Product Summary , RAD HARD HEXFET International Rectifier s P-Channel RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage stability IRHM9160 -100V 0.073 -35*A and br
Другие IGBT... IRHM7260, IRHM7264SE, IRHM7360, IRHM7360SE, IRHM7450, IRHM7450SE, IRHM7460SE, IRHM7Z60, IRFP250, IRHM9130, IRHM9150, IRHM9160, IRHM9230, IRHM9250, IRHM9260, IRHMB57064, IRHMB57260SE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet










