IRHMJ7250 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHMJ7250
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 26 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 140 ns
Выходная емкость (Cd): 850 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
IRHMJ7250 Datasheet (PDF)
irhmj7250.pdf
PD-96914 IRHMJ7250RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNELPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ7250 100K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ3250 300K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ4250 600K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ8250 1000K Rads (Si) 0.10 26ATO-254AA TablessInternational Rectifier
irhmj57160.pdf
PD-96916RADIATION HARDENED IRHMJ57160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57160 100K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ53160 300K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ54160 600K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ58160 1000K Rads (Si) 0.019 35A*TO-254AA TablessInternational Recti
irhmj57260se.pdf
PD-96913RADIATION HARDENED IRHMJ57260SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A*TO-254AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardene
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
