IRHMJ7250. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHMJ7250

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для IRHMJ7250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHMJ7250 даташит

 ..1. Size:330K  international rectifier
 irhmj7250.pdf pdf_icon

IRHMJ7250

 9.1. Size:160K  international rectifier
 irhmj57160.pdf pdf_icon

IRHMJ7250

PD-96916 RADIATION HARDENED IRHMJ57160 POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57160 100K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ53160 300K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ54160 600K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ58160 1000K Rads (Si) 0.019 35A* TO-254AA Tabless International Recti

 9.2. Size:168K  international rectifier
 irhmj57260se.pdf pdf_icon

IRHMJ7250

PD-96913 RADIATION HARDENED IRHMJ57260SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A* TO-254AA Tabless International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space n Single Event Effect (SEE) Hardene

Другие IGBT... IRHM9230, IRHM9250, IRHM9260, IRHMB57064, IRHMB57260SE, IRHMB57Z60, IRHMJ57160, IRHMJ57260SE, STF13NM60N, IRHMK57160, IRHMK57260SE, IRHMK597160, IRHMS57064, IRHMS57160, IRHMS57163SE, IRHMS57260SE, IRHMS57264SE