IRH7450. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRH7450

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRH7450

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRH7450 даташит

 ..1. Size:297K  international rectifier
 irh7450.pdf pdf_icon

IRH7450

PD - 91807A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRH7450 HEXFET TRANSISTOR IRH8450 N CHANNEL MEGA RAD HARD 500Volt, 0.45 Product Summary , MEGA RAD HARD HEXFET International Rectifier s RAD HARD technology Part Number BVDSS RDS(on) ID HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage IRH7450 500V 0.45 11A stability and breakdown voltage stability at total IR

 0.1. Size:118K  international rectifier
 irh7450se.pdf pdf_icon

IRH7450

PD - 91390B RADIATION HARDENED IRH7450SE POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRH7450SE 100K Rads (Si) 0.51 12A TO-204AE International Rectifier s RADHardTM HEXFET MOSFET technology provides high performance power MOSFETs Features for space applications. This technology

Другие IGBT... IRHMS67260, IRHMS67264, IRH7054, IRH7130, IRH7150, IRH7230, IRH7250, IRH7250SE, 60N06, IRH7450SE, IRH9130, IRH9150, IRH9230, IRH9250, IRFM064, IRFM120ATF, IRFM1310ST