IRFR120NPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR120NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRFR120NPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR120NPBF даташит

 ..1. Size:390K  international rectifier
 irfr120npbf irfu120npbf.pdf pdf_icon

IRFR120NPBF

PD - 95067A IRFR/U120NPbF Lead-Free www.irf.com 1 12/9/04 IRFR/U120NPbF 2 www.irf.com IRFR/U120NPbF www.irf.com 3 IRFR/U120NPbF 4 www.irf.com IRFR/U120NPbF www.irf.com 5 IRFR/U120NPbF 6 www.irf.com IRFR/U120NPbF www.irf.com 7 IRFR/U120NPbF D-Pak (TO-252AA) Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) D-Pak (TO-252AA) Part Marking Information EXAMP

 6.1. Size:142K  international rectifier
 irfr120n.pdf pdf_icon

IRFR120NPBF

PD - 91365B IRFR/U120N HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFR120N) D Straight Lead (IRFU120N) VDSS = 100V Advanced Process Technology Fast Switching RDS(on) = 0.21 Fully Avalanche Rated G Description ID = 9.4A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. T

 6.2. Size:764K  cn vbsemi
 irfr120ntrpbf.pdf pdf_icon

IRFR120NPBF

IRFR120NTRPBF www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 6.3. Size:241K  inchange semiconductor
 irfr120n.pdf pdf_icon

IRFR120NPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR120N, IIRFR120N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 210m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100 V DSS V Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFR020PBF, IRFR024NPBF, IRFR024PBF, IRFR1010ZPBF, IRFR1018EPBF, IRFR110PBF, IRFR1205PBF, IRFR120ATM, IRF9640, IRFR120PBF, IRFR120ZPBF, IRFR12N25DPBF, IRFR130ATM, IRFR13N15DPBF, IRFR13N20DPBF, IRFP044NPBF, IRFP044PBF