Справочник MOSFET. IRFR12N25DPBF

 

IRFR12N25DPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR12N25DPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRFR12N25DPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR12N25DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  international rectifier
irfr12n25dpbf irfu12n25dpbf.pdfpdf_icon

IRFR12N25DPBF

PD - 95353AIRFR12N25DPbFSMPS MOSFET IRFU12N25DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters250V 0.26 14Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pa

 4.1. Size:104K  international rectifier
irfr12n25d.pdfpdf_icon

IRFR12N25DPBF

PD - 94296AIRFR12N25DSMPS MOSFET IRFU12N25DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters250V 0.26 14ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pak I-Pakand CurrentI

 8.1. Size:369K  1
irfr120 irfr121 irfu120 irfu121.pdfpdf_icon

IRFR12N25DPBF

 8.2. Size:144K  international rectifier
irfr1205.pdfpdf_icon

IRFR12N25DPBF

PD - 91318BIRFR/U1205HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD Surface Mount (IRFR1205)VDSS = 55V Straight Lead (IRFU1205) Fast SwitchingRDS(on) = 0.027 Fully Avalanche RatedGDescriptionID = 44A SFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistance per silicon area. This

Другие MOSFET... IRFR1010ZPBF , IRFR1018EPBF , IRFR110PBF , IRFR1205PBF , IRFR120ATM , IRFR120NPBF , IRFR120PBF , IRFR120ZPBF , IRF9640 , IRFR130ATM , IRFR13N15DPBF , IRFR13N20DPBF , IRFP044NPBF , IRFP044PBF , IRFP048NPBF , IRFP048PBF , IRFP048R .

 

 
Back to Top

 


 
.