IRFP064NPBF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRFP064NPBF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRFP064NPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFP064NPBF даташит
irfp064npbf.pdf
PD - 95001 IRFP064NPbF Lead-Free www.irf.com 1 2/11/04 IRFP064NPbF 2 www.irf.com IRFP064NPbF www.irf.com 3 IRFP064NPbF 4 www.irf.com IRFP064NPbF www.irf.com 5 IRFP064NPbF 6 www.irf.com IRFP064NPbF www.irf.com 7 IRFP064NPbF TO-247AC Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) - D - 3.65 (.143) 5.30 (.209) 15.90 (.626) 3.55 (.140) 4.70 (.185) 1
auirfp064n.pdf
PD - 96375 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFP064N HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology D Low On-Resistance V(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.008 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID 110A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifical
irfp064n.pdf
PD - 9.1383A IRFP064N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 110A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance
irfp064n.pdf
IRFP064N N-Channel MOSFET Advanced Process Technology TO-247AC Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Description The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of D TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the VDSS = 55V e
Другие IGBT... IRFR13N20DPBF, IRFP044NPBF, IRFP044PBF, IRFP048NPBF, IRFP048PBF, IRFP048R, IRFP054NPBF, IRFP054PBF, IRFZ44N, IRFP064VPBF, IRFP1405PBF, IRFP140PBF, IRFP150MPBF, IRFP150NPBF, IRFP150PBF, IRFP15N60L, IRFP15N60LPBF
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IRFP15N60L | IRFP442R
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BC3134KT | BC3134K | BC2302W | BC2302T-2.8A | BC2302-2.8A | BC2301W | BC2301T-2.8A | CB3139KTB | CB2301DW | BC8205 | BC3415 | BC3407 | BC3401 | BC3400 | BC2301 | BC1012W
Popular searches
b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771




