IXZR18N50B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXZR18N50B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 172 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

Аналог (замена) для IXZR18N50B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZR18N50B даташит

 ..1. Size:160K  ixys
 ixzr18n50a ixzr18n50b.pdf pdf_icon

IXZR18N50B

IXZR18N50 & IXZR18N50A/B Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 500 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 19 A RDS(on) 0.37 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25 C to 150 C VDSS 500 V PDC = 350 W TJ = 25 C to 150 C; RGS

 9.1. Size:163K  ixys
 ixzr16n60a ixzr16n60b.pdf pdf_icon

IXZR18N50B

IXZR16N60 & IXZR16N60A/B Z-MOS RF Power MOSFET NChannel Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Qg and Rg Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 600 V High dv/dt Optimized for RF Operation Nanosecond Switching Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 18 A Symbol Test Conditions Maximum Ratings RDS(on) 0.56

Другие IGBT... IRFP3077PBF, IRFP31N50L, IRFP31N50LPBF, IRFP3206PBF, IRFP32N50K, IRFP32N50KPBF, IRFP3306PBF, IRFP340PBF, NCEP15T14, IXZR18N50A, IXZR16N60B, IXZR16N60A, IXZR08N120B, IXZR08N120A, IXZH10N50LB, IXZH10N50LA, IXZ318N50