Справочник MOSFET. IXZR18N50B

 

IXZR18N50B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXZR18N50B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 172 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXZR18N50B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZR18N50B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  ixys
 ixzr18n50a ixzr18n50b.pdf pdf_icon

IXZR18N50B

IXZR18N50 & IXZR18N50A/B Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 500 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 19 A RDS(on) 0.37 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25C to 150C VDSS 500 V PDC = 350 W TJ = 25C to 150C; RGS

 9.1. Size:163K  ixys
 ixzr16n60a ixzr16n60b.pdf pdf_icon

IXZR18N50B

IXZR16N60 & IXZR16N60A/B Z-MOS RF Power MOSFET NChannel Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Qg and Rg Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 600 V High dv/dt Optimized for RF Operation Nanosecond Switching Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 18 A Symbol Test Conditions Maximum Ratings RDS(on) 0.56

Другие MOSFET... IRFP3077PBF , IRFP31N50L , IRFP31N50LPBF , IRFP3206PBF , IRFP32N50K , IRFP32N50KPBF , IRFP3306PBF , IRFP340PBF , IRFP450 , IXZR18N50A , IXZR16N60B , IXZR16N60A , IXZR08N120B , IXZR08N120A , IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , IXZ318N50 .

History: AO4616 | CSD17579Q5A | AP2763W-A | SUD45P03-15 | TJ40S04M3L | H10N60E | 2SK1808

 

 
Back to Top

 


 
.