IXZR08N120B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXZR08N120B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

Аналог (замена) для IXZR08N120B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZR08N120B даташит

 ..1. Size:160K  ixys
 ixzr08n120a ixzr08n120b.pdf pdf_icon

IXZR08N120B

IXZR08N120 & IXZR08N120A/B Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 1200 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 8.0 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1.5 TJ = 25 C to 150 C VDSS 1200 V PDC = 250 W TJ = 25 C to 150 C;

Другие IGBT... IRFP32N50K, IRFP32N50KPBF, IRFP3306PBF, IRFP340PBF, IXZR18N50B, IXZR18N50A, IXZR16N60B, IXZR16N60A, TK10A60D, IXZR08N120A, IXZH10N50LB, IXZH10N50LA, IXZ318N50, IXZ316N60, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L