IXZH10N50LA - аналоги и даташиты транзистора

 

IXZH10N50LA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXZH10N50LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD
 

 Аналог (замена) для IXZH10N50LA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZH10N50LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  ixys
 ixzh10n50la ixzh10n50lb.pdf pdf_icon

IXZH10N50LA

IXZH10N50LA/B RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET VDSS = 500 V Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process ID25 = 10 A Optimized for Linear Operation in Common Source Mode 150V (operating) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25C to 150C VDSS 500 VTJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 500 V Continuous VGS 20 V Transient VG

Другие MOSFET... IRFP340PBF , IXZR18N50B , IXZR18N50A , IXZR16N60B , IXZR16N60A , IXZR08N120B , IXZR08N120A , IXZH10N50LB , 4N60 , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IXUC200N055 , IXUC100N055 .

History: IPB065N10N3G | 2N60G-TM3-T | IPB60R099P7 | 25N10G-TF3-T | 25N10G-TF2-T | BLP12N10G-U | BLP042N10G-B

 

 
Back to Top

 


 
.