IXZ318N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXZ318N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm

Тип корпуса: SMD-6

Аналог (замена) для IXZ318N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZ318N50 даташит

 ..1. Size:137K  ixys
 ixz318n50.pdf pdf_icon

IXZ318N50

IXZ318N50 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 500 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 19 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.34 TJ = 25 C to 150 C VDSS 500 V PDC = 880 W TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR

 9.1. Size:136K  ixys
 ixz316n60.pdf pdf_icon

IXZ318N50

IXZ316N60 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 600 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 18 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.47 TJ = 25 C to 150 C VDSS 600 V PDC = 880 W TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR

Другие IGBT... IXZR18N50B, IXZR18N50A, IXZR16N60B, IXZR16N60A, IXZR08N120B, IXZR08N120A, IXZH10N50LB, IXZH10N50LA, IRFP250, IXZ316N60, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055, IXUC100N055, IXTY90N055T2