Справочник MOSFET. IXZ318N50

 

IXZ318N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXZ318N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: SMD-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZ318N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  ixys
 ixz318n50.pdf pdf_icon

IXZ318N50

IXZ318N50 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 500 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 19 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.34 TJ = 25C to 150C VDSS 500 V PDC = 880 W TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR

 9.1. Size:136K  ixys
 ixz316n60.pdf pdf_icon

IXZ318N50

IXZ316N60 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 600 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 18 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.47 TJ = 25C to 150C VDSS 600 V PDC = 880 W TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AOT466L | PSMG60-08 | BRCS140P03YB | 2SK1694 | AP4543GEH-HF | WMK16N70SR | QM3002F

 

 
Back to Top

 


 
.