Справочник MOSFET. IXZ318N50

 

IXZ318N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXZ318N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: SMD-6
 

 Аналог (замена) для IXZ318N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZ318N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  ixys
 ixz318n50.pdf pdf_icon

IXZ318N50

IXZ318N50 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 500 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 19 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.34 TJ = 25C to 150C VDSS 500 V PDC = 880 W TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR

 9.1. Size:136K  ixys
 ixz316n60.pdf pdf_icon

IXZ318N50

IXZ316N60 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 600 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 18 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.47 TJ = 25C to 150C VDSS 600 V PDC = 880 W TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR

Другие MOSFET... IXZR18N50B , IXZR18N50A , IXZR16N60B , IXZR16N60A , IXZR08N120B , IXZR08N120A , IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , STF13NM60N , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IXUC200N055 , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.